一种低温烧制碳化硼陶瓷复合材料.pdf

1、10申请公布号CN104140264A43申请公布日20141112CN104140264A21申请号201410365611622申请日20140730C04B35/56320060171申请人青岛祥海电子有限公司地址266000山东省青岛市李沧区铜川路17号综合楼221室72发明人张昊亮54发明名称一种低温烧制碳化硼陶瓷复合材料57摘要本发明公开了一种低温烧制碳化硼陶瓷复合材料，其特征在于，包括下列重量份数的物质硅酸锆1134份，碳化硅35167份，五氧化二钒03份，聚丙烯酸酯1140份，聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯130份，三异三聚氰酸脂39份，橡胶1130份，聚异丁烯35132份，二氧化

2、钛1030份，炭黑2170份，碳化硼311份，磷酸钙519份。本发明的有益效果是本发明所烧结温度较低，大幅度降低了制备成本；所得的材料致密度高，这个结果在晶须增韧陶瓷方面还是达到了相当高的致密效果；本发明制备的材料断裂韧度高。51INTCL权利要求书1页说明书2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页10申请公布号CN104140264ACN104140264A1/1页21一种低温烧制碳化硼陶瓷复合材料，其特征在于，包括下列重量份数的物质硅酸锆1134份，碳化硅35167份，五氧化二钒03份，聚丙烯酸酯1140份，聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯130份，三异三聚氰

3、酸脂39份，橡胶1130份，聚异丁烯35132份，二氧化钛1030份，炭黑2170份，碳化硼311份，磷酸钙519份。权利要求书CN104140264A1/2页3一种低温烧制碳化硼陶瓷复合材料技术领域0001本发明涉及一种低温烧制碳化硼陶瓷复合材料。背景技术0002B4C因具有高硬度、高熔点、低密度、高耐磨性、高吸收中子性等一系列优良性能而被广泛应用，但其也存在两个致命的弱点一是烧结困难，由于碳化硼陶瓷中硼和碳以较强的共价键结合共价键的成分高达939；二是断裂韧性低KIC22MPAM1/2，以上的两个缺陷使碳化硼陶瓷的应用受到了极大的限制。0003目前对B4C陶瓷进行增韧用的最多的是SICW。

4、在B4C陶瓷中添加SICW，制备SICW/B4C复合材料。SICW在陶瓷的断裂过程中会发生晶须的脱粘拔出、裂纹偏转，这都消耗了能量，增强了材料的断裂韧度和强度。对于B4C烧结问题，一般的烧结方法归结起来主要有常压烧结、热压烧结、高温等静压烧结等。但常压烧结材料的致密度较低，很难达到所需要求；热压烧结、高温等静压烧结能制得高致密度和高性能的陶瓷材料，但烧结温度高，对设备要求高且不易控制。0004目前的B4C陶瓷产品制备工艺都存在烧结温度高20002300、成本大的问题，高温烧结往往还会导致晶须损伤，而且采用这种工艺制备的产品尺寸受到限制，只能做形状简单的制品。0005本发明克服了上述缺陷。发明内

5、容0006本发明所要解决的技术问题是提供一种低温烧制碳化硼陶瓷复合材料。0007为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是一种低温烧制碳化硼陶瓷复合材料，其特征在于，包括下列重量份数的物质硅酸锆1134份，碳化硅35167份，五氧化二钒03份，聚丙烯酸酯1140份，聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯130份，三异三聚氰酸脂39份，橡胶1130份，聚异丁烯35132份，二氧化钛1030份，炭黑2170份，碳化硼311份，磷酸钙519份。0008本发明的有益效果是1本发明所烧结温度较低，大幅度降低了制备成本。00092本发明所得的材料致密度高，这个结果在晶须增韧陶瓷方面还是达到了相当高的致密效果。0010

6、3本发明制备的材料断裂韧度高。具体实施方式0011实施例1一种低温烧制碳化硼陶瓷复合材料，包括下列重量份数的物质硅酸锆11份，碳化硅35份，五氧化二钒1份，聚丙烯酸酯11份，聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯1份，三异三聚说明书CN104140264A2/2页4氰酸脂3份，橡胶11份，聚异丁烯35份，二氧化钛10份，炭黑21份，碳化硼3份，磷酸钙5份。0012实施例2一种低温烧制碳化硼陶瓷复合材料，包括下列重量份数的物质硅酸锆34份，碳化硅167份，五氧化二钒3份，聚丙烯酸酯40份，聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯30份，三异三聚氰酸脂9份，橡胶30份，聚异丁烯132份，二氧化钛30份，炭黑70份，碳化硼11份，磷酸钙19份。说明书CN104140264A