三维电路的制造方法.pdf

1、(10)申请公布号 CN 102892252 A (43)申请公布日 2013.01.23 C N 1 0 2 8 9 2 2 5 2 A *CN102892252A* (21)申请号 201110202041.5 (22)申请日 2011.07.19 H05K 3/00(2006.01) H05K 3/06(2006.01) H05K 3/38(2006.01) H01Q 1/38(2006.01) H01L 33/00(2010.01) (71)申请人联滔电子有限公司 地址香港新界沙田火炭山尾街18-24号沙 田商业中心2018室 申请人胡泉凌 (72)发明人胡泉凌 陈誉尉 (74)专利代

2、理机构北京高默克知识产权代理有 限公司 11263 代理人王业晖 (54) 发明名称 三维电路的制造方法 (57) 摘要 本发明涉及一种三维电路的制造方法，包含 有：提供一三维立体结构的本体；对本体进行表 面脱脂及粗化处理；对本体表面进行金属化处 理，沉积形成金属薄膜层；对金属薄膜层表面进 行光阻涂布处理，形成光阻保护层；对光阻保护 层进行曝光/显影处理，形成图案化光阻保护层； 对显露的金属薄膜层进行蚀刻处理，形成图案化 线路层；剥除图案化线路层上的光阻保护层；对 图案化线路层表面进行化学镀层处理，形成线路 增厚层。如此即可在三维立体结构的本体上直接 形成一立体布线的电路图案，而无须在本体上额

3、 外设置一电路载体，以满足轻、薄、短、小的需求。 (51)Int.Cl. 权利要求书2页 说明书8页 附图25页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 8 页 附图 25 页 1/2页 2 1.一种三维电路的制造方法，其特征在于：包括以下步骤： (1)提供一三维立体结构的本体； (2)对上述本体进行表面前处理； (3)对上述本体表面进行金属化处理，沉积形成一金属薄膜层； (4)对上述金属薄膜层表面进行光阻涂布处理，形成一光阻保护层； (5)对上述光阻保护层进行曝光/显影处理，形成一图案化光阻保护层； (6)对显露的金属薄膜层进行蚀刻处理，形成图

4、案化线路层； (7)剥除上述图案化线路层上的光阻保护层；以及对上述图案化线路层表面进行化学 镀层处理，形成一线路增厚层。 2.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体选自于天线、 LED承载座、电路基板、连接器、电子装置或方向盘的其中一种立体结构。 3.根据权利要求2所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体是利用射出成 型或烧结成型的其中一种方法所制成。 4.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体选自于高分子 材料或陶瓷材料的其中一种。 5.根据权利要求4所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述高分子材料设为聚 乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、

5、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚 乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚酰胺 (PA6/6T)、尼龙(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一种或以上复合材料的其中一种；以及上 述陶瓷材料设为氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅、钛酸钡的其中一种或以上复合材料的其 中一种。 6.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述金属化处理，是利用 溅镀或蒸镀方式，使金属沉积于本体表面形成金属薄膜层；上述沉积金属选自于镍(Ni)、 钴(Co)、钯(Pd)、锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或以上复合金属的其中一种。 7

6、.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述金属化处理，是利用 亚锡離子敏化及钯离子活化方式使天线本体表面活化形成金属薄膜层。 8.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述光阻涂布处理，是将 感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对金属薄膜层的表面涂布一光阻保护层，上述光阻保 护层的感光液态光阻选自于正型或负型光阻的其中一种。 9.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述曝光/显影处理是 利用雷射或紫外光源，依特定立体曝光线路图形的区域或位置直接照射于光阻保护层上， 又上述立体曝光线路图形选自于图案化立体光罩或直接扫瞄图形的其中一种。 10.根据权利要求

7、1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述化学镀层金属选自 于镍(Ni)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)、钯(Pd)的其中一种或以上复合金属 的其中一种。 11.一种三维电路的制造方法，其特征在于：包括以下步骤： (1)提供一三维立体结构的本体； (2)对上述本体进行表面前处理； (3)对上述本体表面进行涂布处理，形成一光阻保护层； 权 利 要 求 书CN 102892252 A 2/2页 3 (4)对上述光阻保护层进行曝光/显影处理，形成一图案化光阻保护层； (5)对上述本体表面进行金属化处理，形成一图案化线路区域； (6)剥除上述图案化光阻保护层；以及 (7)

8、对上述图案化线路区域进行化学镀层处理，形成一线路增厚层。 12.根据权利要求11所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体选自于天线、 LED承载座、电路基板、连接器、电子装置或方向盘的其中一种立体结构。 13.根据权利要求11所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体是利用射出 成型或烧结成型的其中一种方法所制成。 14.根据权利要求11所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体选自于高分 子材料或陶瓷材料的其中一种。 15.根据权利要求14所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述高分子材料设为 聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物

9、(ABS)、聚 乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚酰胺 (PA6/6T)、尼龙(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一种或以上复合材料的其中一种；以及上 述陶瓷材料设为氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅、钛酸钡的其中一种或以上复合材料的其 中一种。 16.根据权利要求11所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述光阻涂布处理，是 将感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对本体的表面涂布一光阻保护层，上述光阻保护层 的感光液态光阻选自于正型或负型光阻的其中一种。 17.根据权利要求11所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述曝光/显影处理 是利用雷

10、射或紫外光源，依特定立体曝光线路图形的区域或位置，直接照射于光阻保护层 上，又上述立体曝光线路图形选自于图案化立体光罩或直接扫瞄图形的其中一种。 18.根据权利要求11所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述金属化处理，是 利用溅镀或蒸镀方式使金属沉积于本体表面形成图案化线路区域；上述沉积金属选自于镍 (Ni)、钴(Co)、钯(Pd)、锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或其复合材料的其中一种。 19.根据权利要求11所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述金属化处理是利 用亚锡離子敏化及钯離子活化方式使本体表面活化形成图案化线路区域。 20.根据权利要求11所述的三维电路的制造方法，其特征在

11、于：所述化学镀层金属选 自于镍(Ni)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)、钯(Pd)的其中一种或以上复合金 属的其中一种。 权 利 要 求 书CN 102892252 A 1/8页 4 三维电路的制造方法 技术领域 0001 本发明有关一种三维电路的制造方法，特别是指在三维立体结构的本体表面上形 成立体图案化金属线路的制造方法。 背景技术 0002 现今无线通讯技术的快速发展，相关性电子通讯产品越来越重视讯号传送质量以 及满足轻、薄、短、小的需求。然而，各种行动影像通讯产品(例如平板计算机、手机等)会 依照不同的产品外观及内部结构差异，需配合设计出不同的天线本体结构及

12、其线路形式， 以满足通讯装置的小型化需求。 0003 在已知技术而言，利用雷射直接成型(Laser Direct Structuring，LDS)将一些特 殊可雷射活化的塑料，射出成型为一预定的本体结构，然后再利用特定波长的雷射，将塑料 内掺入的金属晶粒予以活化，同时定义出线路图案，最后再进行金属化制程。该技术常被应 用于手机、行动式计算机装置天线或发光二极管模块以及汽车装置等产品上。 0004 然而，LDS塑料必须掺杂金属催化剂，而且须针对不同材质的塑料及材料特性，掺 杂不同成分比例的金属催化剂，造成雷射活化的条件不同，必须重新调整雷射波长与金属 化的控制参数，因此，LDS制程须采取特定波长

13、的雷射设备以及设置不同条件的金属化设备 或控制参数，也使得设备与制造成本较为昂贵。 0005 此外，在雷射建构操作中，因为本体表面温度升高造成部分本体表面金属晶粒被 移除或破坏，甚至沉积在本体表面的非期望线路区域，降低后续金属化制程对沉积导体线 路结构的选择性，导致相邻电子组件间的电路短路问题。为防止短路问题发生，雷射建构的 电路路径间距必须加以控制，避免后续进行金属化制程中产生任何不良问题。不过，当解决 该问题时，常会导致电路密度不足的缺点。 0006 因此，需要提供一种三维电路的制造方法，以解决先前技术的不足与缺点。 发明内容 0007 本发明的主要目的，旨在提供一种三维电路的制造方法，使

14、立体结构的本体具有 三维立体电路，该电路的金属线路层可选择性成形于本体的任何立体面，可达到图案化线 路的电路布局设计，让三维电路可应用于天线、LED承载座、电路基板、连接器、电子装置或 方向盘等各种不同造型的立体结构物。 0008 本发明的另一目的在于将三维电路应用于立体天线中，使金属线路层与天线本体 具有高附着抗拉性，可直接于天线馈入点处焊接一讯号传输线构成电性连接，达成接收或 传送讯号的目的。 0009 为达到所述目的，于一较佳实施例中，本发明三维电路的制造方法包含以下制造 步骤： 0010 (1)提供一三维立体结构的本体； 0011 (2)对本体进行表面前处理； 说 明 书CN 1028

15、92252 A 2/8页 5 0012 (3)对本体表面进行金属化处理，沉积形成一金属薄膜层； 0013 (4)对金属薄膜层表面进行光阻涂布处理，形成一光阻保护层； 0014 (5)对光阻保护层进行曝光/显影处理，形成一图案化光阻保护层； 0015 (6)对显露的金属薄膜层进行蚀刻处理，形成一图案化线路层； 0016 (7)剥除图案化线路层上的光阻保护层；以及 0017 (8)对图案化线路层表面进行化学镀层处理，形成一线路增厚层。 0018 本发明三维电路的制造方法中的本体可选自天线、LED承载座、方向盘、电路基板、 连接器、电子装置等各种不同造型的立体结构物。 0019 其中，上述本体可选自

16、于高分子材料或陶瓷材料的其中一种，上述高分子材料可 设为聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、 聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚酰胺 (PA6/6T)、尼龙(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一种或以上复合材料的其中一种；另上述 陶瓷材料可设为氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅、钛酸钡的其中一种或以上复合材料的其 中一种。此外，上述本体是利用射出成型或烧结成型的其中一种方法所制成。 0020 上述表面前处理包括表面脱脂及粗化处理，使改质成为亲水性的多孔表面，利于 提升后续本体与金属

17、镀层的固着力。 0021 上述金属化处理，是利用溅镀(Sputtering)或蒸镀(Evaporation)方式，使金属 沉积于本体表面形成金属薄膜层。其中，上述沉积金属可选自于镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)、 锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或以上复合金属的其中一种。 0022 此外，上述金属化处理亦可利用亚锡離子敏化及钯離子活化方式，使本体表面活 化形成金属薄膜层，以利后续进行化学镀层处理时能产生催化金属沉积的作用。 0023 上述光阻涂布处理，是将感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对金属薄膜层的表 面涂布一光阻保护层。其中，上述光阻保护层的感光液态光阻可选自于正型或负型光阻的 其中一种

18、。 0024 上述曝光/显影处理，是利用雷射或紫外光源，依特定立体曝光线路图形的区域 或位置，直接照射于光阻保护层上，使光阻内部产生化学反应；再利用显影剂将光阻溶解除 去，形成图案化光阻保护层。其中，上述立体曝光线路图形可选自于图案化立体光罩或直接 扫瞄图形的其中一种。 0025 上述化学镀层处理，可利用无电镀方式把溶液中的金属離子藉由化学催化反应， 使沉积于图案化线路层上，形成线路增厚层。其中，上述镀层金属可选自于镍(Ni)、铜 (Cu)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)的其中一种或以上复合金属的其中一种。 0026 于另一较佳实施例中，本发明揭露三维电路的制造方法包括以下的步

19、骤： 0027 (1)提供一三维立体结构的本体； 0028 (2)对本体进行表面前处理； 0029 (3)对本体表面进行涂布处理，形成一光阻保护层； 0030 (4)对光阻保护层进行曝光/显影处理，形成一图案化光阻保护层； 0031 (5)对本体表面进行金属化处理，形成一图案化线路区域； 0032 (6)剥除图案化光阻保护层；以及 0033 (7)对图案化线路区域进行化学镀层处理，形成一线路增厚层。 说 明 书CN 102892252 A 3/8页 6 0034 同样地，上述本体可选自天线、LED承载座、方向盘、电路基板、连接器、电子装置等 各种不同造型的立体结构物，而上述本体可选自于高分子材

20、料或陶瓷材料的其中一种；可 利用射出成型或烧结成型的其中一种方法所制成。 0035 其中，上述高分子材料可设为聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯 晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯 (PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚酰胺(PA6/6T)、尼龙(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一 种或以上复合材料的其中一种；以及上述陶瓷材料可设为氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅、 钛酸钡的其中一种或以上复合材料的其中一种。 0036 上述表面前处理包括表面脱脂及粗化处理，使改质成为亲水性的多孔表面，利于 提升后续本体与金属镀层

21、的固着力。 0037 上述光阻涂布处理，是将感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对本体的表面涂布 一光阻保护层。其中，上述光阻保护层的感光液态光阻可选自于正型或负型光阻的其中一 种。 0038 上述曝光/显影处理是利用雷射或紫外光源，依特定立体曝光线路图形的区域或 位置，直接照射于光阻保护层上，使光阻内部产生化学反应；再利用显影剂将光阻溶解除 去，形成图案化光阻保护层，而除去光阻的区域即为裸露的本体，则作为后续金属化处理的 图案化线路区域。其中，上述立体曝光线路图形可选自于图案化立体光罩或直接扫瞄图形 的其中一种。 0039 上述金属化处理是利用溅镀(Sputtering)或蒸镀(Evaporat

22、ion)方式，使金属 沉积于本体表面形成图案化线路区域。其中，上述沉积金属可选自于镍(Ni)、钴(Co)、钯 (Pd)、锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或以上复合金属的其中一种。此外，上述金属化处理亦可 利用亚锡離子敏化及钯離子活化方式，使本体表面活化形成图案化线路区域，以利后续进 行化学镀层处理时能产生催化金属沉积的作用。 0040 上述化学镀层处理，可利用无电镀方式把溶液中的金属離子藉由化学催化反应， 使沉积于经活化的图案化线路区域上，形成线路增厚层。上述镀层金属可选自于镍(Ni)、铜 (Cu)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)的其中一种或以上复合金属的其中一种。 0041

23、经由上述两较佳实施例所揭露的三维电路的制造方法，使得本发明可以具有以下 的优点： 0042 1.可采用一般塑料材料作为本体基材，不须采用特殊含有金属触媒混合的非一般 性材料，因此材料选择性高且取得成本较低。 0043 2.可达到良好线路尺寸精度及导体密度，维持天线阻抗匹配的稳定性。 0044 3.可弹性制作出复杂的三维立体线路图案，不会受限于传统模具几何机械加工限 制或复杂线路结构造成加工时间及成本的提高。 0045 4.本体与金属线路图案属于整体结构及具有较佳黏结强度，可避免习知天线塑料 本体与金属导体片独立制造后须再组装的程序，消除组装失误或碰撞造成塑料本体与金属 导体片分离的问题。 附图

24、说明 0046 图1是本发明天线本体的制造流程图； 说 明 书CN 102892252 A 4/8页 7 0047 图2至图4是图1应用于天线本体制造的结构示意图； 0048 图5是本发明天线本体的另一制造流程图： 0049 图6至图8是图5应用于天线本体制造的结构示意图； 0050 图9是本发明制成天线本体与讯号传输线连接的示意图； 0051 图10至图13是本发明LED承载座本体制造流程的结构示意图； 0052 图14至图17是本发明LED承载座本体另一制造流程的结构示意图； 0053 图17至图21是本发明方向盘本体制造流程的结构示意图；以及 0054 图22至图25是本发明方向盘本体另

25、一制造流程的结构示意图。 0055 【主要组件符号说明】 0056 具体实施方式 0057 为便于更进一步对本发明的构造、使用及其特征有更深一层明确详实的认识与了 解，现举出较佳实施例，配合附图详细说明如下： 0058 首先，请参阅图1的流程图以及图2至图4所示的结构图，于第一较佳实施例中， 本发明三维天线电路的制造方法，其包含以下步骤： 0059 (1)提供一三维立体结构的天线本体10； 0060 (2)对天线本体10进行表面前处理； 0061 (3)对天线本体10表面进行金属化处理，沉积形成一金属薄膜层11； 0062 (4)对金属薄膜层11表面进行光阻涂布处理，形成一光阻保护层12； 0

26、063 (5)对光阻保护层12进行曝光/显影处理70，形成一图案化光阻保护层13； 0064 (6)对显露的金属薄膜层11进行蚀刻处理71，形成一图案化线路层14； 0065 (7)剥除图案化线路层14上的图案化光阻保护层13； 0066 (8)图案化线路层14表面进行化学镀层处理，形成一线路增厚层15。 0067 其中，上述步骤(1)立体结构的天线本体10是利用射出成型或烧结成型的其中一 种方法所制成。上述天线本体10可选自于高分子材料或陶瓷材料的其中一种。其中，上述 高分子材料可设为聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共 说 明 书CN 1028922

27、52 A 5/8页 8 聚合物(ABS)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物 (LCP)、聚酰胺(PA6/6T)、尼龙(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一种或以上复合材料的其中 一种；另外，上述陶瓷材料可设为氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅、钛酸钡的其中一种或以 上复合材料的其中一种。 0068 上述步骤(2)表面前处理包括表面脱脂及粗化处理，是利用酸性或碱性清洁剂去 除天线本体10表面的脏污、油脂，以及利用机械刷磨、化学蚀刻或电浆等相当程度的粗化 处理，使改质成为亲水性的多孔表面，利于提升后续天线本体10与金属镀层的固着力。 0069 上述步骤(

28、3)金属化处理，是利用溅镀(Sputtering)或蒸镀(Evaporation)方式 使金属沉积于天线本体10表面形成金属薄膜层11。其中，上述沉积金属可选自于镍(Ni)、 钴(Co)、钯(Pd)、锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或其复合材料的其中一种。 0070 此外，上述步骤(3)金属化处理亦可利用亚锡離子敏化及钯離子活化方式，使天 线本体10表面活化形成金属薄膜层11。其中，上述敏化处理，是将氯化亚锡混合酸性溶液 中的亚锡離子(Sn 2+ )，渗入天线本体10表面多孔凹穴内部达到吸附作用；上述活化处理，是 将氯化钯混合酸性溶液中的钯離子(Pd 2+ )继续植入反应形成一活性金属微粒，以

29、利后续进 行化学镀层处理时能产生催化金属沉积作用。 0071 上述步骤(4)光阻涂布处理，是将感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对金属薄 膜层11的表面涂布一光阻保护层12。其中，上述光阻保护层12的感光液态光阻可选自于 正型或负型光阻的其中一种。 0072 上述步骤(5)曝光/显影处理70是利用雷射或紫外光源，依特定立体曝光线路图 形16的区域或位置，直接照射于光阻保护层12上，使光阻内部产生化学反应；再利用显影 剂将光阻溶解除去，形成图案化光阻保护层13。 0073 于一较佳实施例中，上述立体曝光线路图形16可选自于图案化立体光罩或直接 扫瞄图形的其中一种。 0074 上述步骤(6)蚀刻处理

30、71，是利用化学蚀刻溶液，溶蚀去除裸露且未受光阻保护 的金属薄膜层11，形成图案化光阻保护层13下的图案化线路层14。 0075 上述步骤(7)剥除处理，是利用有机溶剂去除上述图案化光阻保护层13，使图案 化线路层14裸露出来，作为后续化学镀层处理的基层。 0076 上述步骤(8)化学镀层处理，是利用无电镀方式把溶液中的金属離子藉由化学催 化反应，使沉积于图案化线路层14上，形成线路增厚层15。上述镀层金属可选自于镍(Ni)、 铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)的其中一种或以上复合金属的其中一种。 0077 再来，请参阅图5的流程图以及图6至图8所示的结构图，于第二较佳

31、实施例中， 本发明三维天线电路的制造方法，其包含以下步骤： 0078 (1)提供一三维立体结构的天线本体10； 0079 (2)对天线本体10表面进行前处理； 0080 (3)对天线本体10表面进行涂布处理，形成一光阻保护层12； 0081 (4)对光阻保护层12进行曝光/显影处理70，形成一图案化光阻保护层13； 0082 (5)对天线本体10表面进行金属化处理，形成一图案化线路区域17； 0083 (6)剥除图案化光阻保护层13； 0084 (7)对图案化线路区域17进行化学镀层处理，形成一线路增厚层15。 说 明 书CN 102892252 A 6/8页 9 0085 其中，上述步骤(1

32、)立体结构的天线本体10成型方式以及选用材料皆与第一较佳 实施例相同，在此不加以赘述。 0086 上述步骤(2)的表面前处理同样与第一较佳实施例相同，在此不加以赘述。 0087 上述步骤(3)涂布处理，是将感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对天线本体10 的表面涂布一光阻保护层12。其中，上述光阻保护层12感光液态光阻可选自于正型或负型 光阻的其中一种。 0088 上述步骤(4)曝光/显影处理70是利用雷射或紫外光源，依特定立体曝光线路 图形16的区域或位置，直接照射于光阻保护层12上，使光阻内部产生化学反应；再利用显 影剂将光阻溶解除去，形成图案化光阻保护层13，而除去光阻的区域即为裸露的天线

33、本体 10，则作为后续金属化处理的图案化线路区域17。 0089 于一较佳实施例中，上述立体曝光线路图形16可选自于图案化立体光罩或直接 扫瞄图形的其中一种。 0090 上述步骤(5)金属化处理，是利用溅镀(Sputtering)或蒸镀(Evaporation)方式 使金属沉积于天线本体10表面形成图案化线路区域17。其中，上述沉积金属可选自于镍 (Ni)、钴(Co)、钯(Pd)、锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或其复合材料的其中一种。 0091 此外，上述步骤(5)金属化处理亦可利用亚锡離子敏化及钯离子活化方式，使天 线本体10表面活化形成图案化线路区域17。其中，上述敏化处理，是将氯化亚锡

34、混合酸性 溶液中的亚锡離子(Sn 2+ )，渗入天线本体10表面多孔凹穴内部达到吸附作用；上述活化处 理，是将氯化钯混合酸性溶液中的钯離子(Pd 2+ )继续植入反应形成一活性金属微粒，以利 后续进行化学镀层处理时能产生催化金属沉积作用。 0092 上述步骤(6)剥除处理，是利用有机溶剂去除上述天线本体10表面的图案化光阻 保护层13，并同时除去图案化光阻保护层13表面的金属沉积物。 0093 上述步骤(7)化学镀层处理，是利用无电镀方式把溶液中的金属離子藉由化学催 化反应，使沉积于经活化的图案化线路区域17上，形成线路增厚层15。上述镀层金属可选 自于镍(Ni)、铜(Cu)、金(Au)、银(

35、Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)的其中一种或以上复合金属的其中 一种。 0094 现请参阅图9所示应用本发明制造方法完成的结构化天线与讯号传输线连接示 意图，该天线本体10是设有一讯号传输线80，其内部设有一中心导体81及一接地导体82， 上述中心导体81连接至上述线路增厚层15上的馈入点A，而上述接地导体82连接至上述 线路增厚层15上的接地点B，以上构成一传递或接收无线讯号的天线组件，可装置于行动 型计算机或其它无线通讯产品上。 0095 请参阅图10及图13所示，于第三较佳实施例中，本发明三维LED承载座电路的制 造方法，其包含以下步骤： 0096 (1)提供一三维立体结构的LED承载座本

36、体20； 0097 (2)对LED承载座本体20进行表面前处理； 0098 (3)对LED承载座本体20表面进行金属化处理，沉积形成一金属薄膜层11； 0099 (4)对金属薄膜层11表面进行光阻涂布处理，形成一光阻保护层12； 0100 (5)对光阻保护层12进行曝光/显影处理70，形成一图案化光阻保护层13； 0101 (6)对显露的金属薄膜层11进行蚀刻处理71，形成一图案化线路层14； 说 明 书CN 102892252 A 7/8页 10 0102 (7)剥除图案化线路层14上的图案化光阻保护层13；以及 0103 (8)图案化线路层14表面进行化学镀层处理，形成一线路增厚层15。

37、0104 其中，上述步骤(2)至步骤(8)的LED承载座本体20处理方式与第一较佳实施例 相同，在此不加以赘述。 0105 请参阅图14及图17所示，于第四较佳实施例中，本发明三维LED承载座电路的制 造方法，其包含以下步骤： 0106 (1)提供一三维立体结构的LED承载座本体20； 0107 (2)对LED承载座本体20表面进行前处理； 0108 (3)对LED承载座本体20表面进行涂布处理，形成一光阻保护层12； 0109 (4)对光阻保护层12进行曝光/显影处理70，形成一图案化光阻保护层13； 0110 (5)对LED承载座本体20表面进行金属化处理，形成一图案化线路区域17； 01

38、11 (6)剥除图案化光阻保护层13；以及 0112 (7)对图案化线路区域17进行化学镀层处理，形成一线路增厚层15。 0113 其中，上述步骤(2)至步骤(7)的LED承载座本体20处理与第二较佳实施例相同， 在此不加以赘述。 0114 请参阅图18及图21所示，于第五较佳实施例中，本发明三维方向盘电路的制造方 法，其包含以下步骤： 0115 (1)提供一三维立体结构的方向盘本体30； 0116 (2)对方向盘本体30进行表面前处理； 0117 (3)对方向盘本体30表面进行金属化处理，沉积形成一金属薄膜层11； 0118 (4)对金属薄膜层11表面进行光阻涂布处理，形成一光阻保护层12；

39、 0119 (5)对光阻保护层12进行曝光/显影处理70，形成一图案化光阻保护层13； 0120 (6)对显露的金属薄膜层11进行蚀刻处理71，形成一图案化线路层14； 0121 (7)剥除图案化线路层14上的图案化光阻保护层13；以及 0122 (8)图案化线路层14表面进行化学镀层处理，形成一线路增厚层15。 0123 其中，上述步骤(2)至步骤(8)的方向盘本体30处理与第一较佳实施例相同，在 此不加以赘述。 0124 请参阅图22及图25所示，于第六较佳实施例中，本发明三维方向盘电路的制造方 法，其包含以下步骤： 0125 (1)提供一三维立体结构的方向盘本体30； 0126 (2)对

40、方向盘本体30表面进行前处理； 0127 (3)对方向盘本体30表面进行涂布处理，形成一光阻保护层12； 0128 (4)对光阻保护层12进行曝光/显影处理70，形成一图案化光阻保护层13； 0129 (5)对方向盘本体30表面进行金属化处理，形成一图案化线路区域17； 0130 (6)剥除图案化光阻保护层13；以及 0131 (7)对图案化线路区域17进行化学镀层处理，形成一线路增厚层15。 0132 其中，上述步骤(2)至步骤(7)的方向盘本体30处理与第二较佳实施例相同，在 此不加以赘述。 0133 由前述六个实施例中不难发现本发明三维电路的制造方法可选用于天线、LED承 说 明 书CN

41、 102892252 A 10 8/8页 11 载座、方向盘、电路基板、连接器、电子装置等各种不同造型的立体结构物，节省本体所需空 间。 0134 综上所述，本发明三维电路的制造方法可使三维立体结构物本体具有一立体布线 电路，该电路的金属线路层可选择性成形于本体的任何立体面，可达到图案化线路的电路 布局设计，可广泛应用于天线、LED承载座、方向盘、电路基板、连接器、电子装置等各种不同 造型的立体结构物本体表面，而无须在本体内部额外设置一电路载体，进而缩小本体体积 来满足轻、薄、短、小的需求。 0135 以上所举实施例仅用为方便说明本发明并非加以限制，在不离本发明精神范畴， 熟悉本行业技术人员所

42、可作的各种简易变形与修饰，均仍应含括于本发明专利保护的范围 内。 说 明 书CN 102892252 A 11 1/25页 12 图1 说 明 书 附 图CN 102892252 A 12 2/25页 13 图2 说 明 书 附 图CN 102892252 A 13 3/25页 14 图3 说 明 书 附 图CN 102892252 A 14 4/25页 15 图4 说 明 书 附 图CN 102892252 A 15 5/25页 16 图5 说 明 书 附 图CN 102892252 A 16 6/25页 17 图6 说 明 书 附 图CN 102892252 A 17 7/25页 18 图

43、7 说 明 书 附 图CN 102892252 A 18 8/25页 19 图8 说 明 书 附 图CN 102892252 A 19 9/25页 20 图9 说 明 书 附 图CN 102892252 A 20 10/25页 21 图10 说 明 书 附 图CN 102892252 A 21 11/25页 22 图11 说 明 书 附 图CN 102892252 A 22 12/25页 23 图12 说 明 书 附 图CN 102892252 A 23 13/25页 24 图13 说 明 书 附 图CN 102892252 A 24 14/25页 25 图14 说 明 书 附 图CN 102892252 A 25 15/25页 26 图15 说 明 书 附 图CN 102892252 A 26 16/25页 27 图16 说 明 书 附 图CN 102892252 A 27 17/25页 28 图17 说 明 书 附 图CN 102892252 A 28 18/25页 29 图18 说 明 书 附 图CN 102892252 A 29 19/25页 30 图19 说 明 书 附 图CN 102892252 A 30