1、(10)申请公布号 CN 102903793 A (43)申请公布日 2013.01.30 C N 1 0 2 9 0 3 7 9 3 A *CN102903793A* (21)申请号 201210369826.6 (22)申请日 2012.09.27 H01L 31/18(2006.01) (71)申请人东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科 技有限公司 地址 214203 江苏省无锡市宜兴市经济开发 区文庄路6号 (72)发明人卢春晖 黄仑 王金伟 史孟杰 崔梅兰 (74)专利代理机构南京天华专利代理有限责任 公司 32218 代理人夏平 (54) 发明名称 一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法
2、 (57) 摘要 本发明公开一种选择性发射极电池片掩膜的 制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将硅片 完全浸没在有机硅凝胶溶液中，浸泡时间为5s； (2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池 片晾干，晾干时间为13min；(3)将步骤(2)得到 的电池片进行烘烤，烘烤温度50300，烘烤时 间为38min，即得到电池片掩膜。本发明所用的 有机硅凝胶制备二氧化硅掩膜方法缩短了传统的 制作周期，制作出的二氧化硅掩膜层结构致密且 均匀，阻挡磷扩散效果优于热氧化法制备的二氧 化硅层，同时该新制备方法减少了设备及原料的 投入成本。 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (
3、19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页 1/1页 2 1.一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤： (1)将硅片完全浸没在有机硅凝胶溶液中，浸泡时间为5s； (2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间为13min； (3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，即得到电池片掩膜。 2.根据权利要求1所述的选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于步骤(3) 的电池片放入烘烤炉中进行烘烤，烘烤温度50300，烘烤时间为38min。 3.根据权利要求2所述的选择性发射极电池片掩膜的制备方法，
4、其特征在于所述的步 骤(3)中电池片的烘烤时间为5min。 4.根据权利要求1所述的选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于步骤(1) 前还对硅片进行预处理，所述的预处理即对硅片表面进行常规清洗和表面组织结构的处 理。 5.根据权利要求1所述的选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于所述的电 池片掩膜为二氧化硅掩膜。 6.根据权利要求5所述的选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于所述的二 氧化硅掩膜的厚度为0.1um10um。 权 利 要 求 书CN 102903793 A 1/2页 3 一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法 技术领域 0001 本发明涉及一种选择性发射极太阳能电
5、池的掩膜的制作工艺，尤其晶硅电池片制 作工艺，具体地说是一种晶硅太阳能选择性发射极电池片掩膜的制备方法。 背景技术 0002 当前选择性发射极电池技术上有多种实现方法，有激光扩散法、印刷磷浆法、硅墨 技术、腐蚀扩散掩膜层等方法。其中激光扩散法需要使用到激光或电镀设备，工序复杂，设 备稳定性难以控制；印刷磷浆法对磷浆要求高，目前磷浆容易高温挥发，选择性不佳；硅墨 技术同样需要增加大量新设备，成本较高。不利于高效选择性发射极电池的产业化。目前 采用腐蚀扩散掩膜层制备的选择性发射极电池大多采用二氧化硅掩膜，由于制备二氧化硅 掩膜需要增加高温氧化炉，完成后进行选择性去除掩膜，高温氧化炉制备二氧化硅掩膜
6、时 间较长，并且对磷扩散效果的阻挡作用有限，影响二次扩散后硅片内高低结的浓度差，造成 选择性发射极原理实现不完全。 发明内容 0003 本发明的目的是针对目前选择性发射极电池腐蚀扩散掩膜层法中二氧化硅掩膜 的制备方法周期长，阻挡磷扩散的效果差的问题，提出一种选择性发射极电池片二氧化硅 膜制作方法。 0004 本发明的目的可以通过以下技术方案实现： 0005 一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤： 0006 (1)将硅片完全浸没在有机硅凝胶溶液中，浸泡时间为5s； 0007 (2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间为13min； 0008 (3)将
7、步骤(2)得到的电池片进行烘烤，即得到电池片掩膜。 0009 步骤(3)的电池片放入烘烤炉中进行烘烤，烘烤温度50300，烘烤时间38min。 0010 所述的步骤(3)中电池片的烘烤时间为5min。 0011 步骤(1)前还对硅片进行预处理，所述的预处理即对硅片表面进行常规清洗和表 面组织结构的处理。 0012 所述的电池片掩膜为二氧化硅掩膜。 0013 所述的二氧化硅掩膜的厚度为0.1um10um。 0014 本发明的有益效果：本发明所用的有机硅凝胶制备二氧化硅掩膜方法缩短了传统 的制作周期，制作出的二氧化硅掩膜层结构致密且均匀，阻挡磷扩散效果优于热氧化法制 备的二氧化硅层，同时该新制备方
8、法减少了设备及原料的投入成本。 附图说明 0015 图1为本发明选择性发射极电池片的二氧化硅掩膜示意图。 0016 图中：1、硅片，2、二氧化硅膜。 说 明 书CN 102903793 A 2/2页 4 具体实施方式 0017 下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。 0018 如图1所示。硅片表面形成二氧化硅膜。 0019 实施例1 0020 一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)对 硅片表面进行常规清洗和表面组织结构的处理，处理结束后将硅片完全浸没在有机硅凝胶 溶液中，浸泡时间为5s；(2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间 为3m
9、in；(3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，在50条件下烘烤8min，即得到二氧化硅 掩膜。使用本发明方法制得的二氧化硅掩膜厚度为2um。 0021 实施例2 0022 一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)对 硅片表面进行常规清洗和表面组织结构的处理，处理结束后将硅片完全浸没在有机硅凝胶 溶液中，浸泡时间为5s；(2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间 为2min；(3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，在100条件下烘烤6min，即得到二氧化 硅掩膜。使用本发明方法制得的二氧化硅掩膜厚度为10um。 0023 实施例3 0024 一种选择性发射极电池片掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)对 硅片表面进行常规清洗和表面组织结构的处理，处理结束后将硅片完全浸没在有机硅凝胶 溶液中，浸泡时间为5s；(2)取出步骤(1)浸泡过有机硅凝胶溶液的电池片晾干，晾干时间 为1.5min；(3)将步骤(2)得到的电池片进行烘烤，在290条件下烘烤3min，即得到二氧 化硅掩膜。使用本发明方法制得的二氧化硅掩膜厚度为6.3um。 说 明 书CN 102903793 A 1/1页 5 图1 说 明 书 附 图CN 102903793 A
个人主页