透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的加工方法.pdf

1、10申请公布号CN104054140A43申请公布日20140917CN104054140A21申请号201380006590222申请日20130124201201252820120124JP201218278620120821JPH01B5/14200601B32B3/14200601B32B7/02200601G06F3/041200601H01B13/0020060171申请人迪睿合电子材料有限公司地址日本东京都72发明人井上纯一水野干久74专利代理机构中国专利代理香港有限公司72001代理人何欣亭王忠忠54发明名称透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的加工方法5

2、7摘要容易大面积地形成微小图案的透明导电元件，具备具有表面的基体材料，以及在表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部。在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。30优先权数据85PCT国际申请进入国家阶段日2014072486PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0514102013012487PCT国际申请的公布数据WO2013/111806JA2013080151INTCL权利要求书2页说明书47页附图44页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书47页附图44页10申请公布号CN104054140ACN104054140

3、A1/2页21一种透明导电元件，具备具有表面的基体材料，以及在所述表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部，在所述透明导电部及所述透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。2如权利要求1所述的透明导电元件，所述透明导电部及所述透明绝缘部的边界部包含所述随机图案的一部分。3如权利要求2所述的透明导电元件，关于所述单位区段，所述随机图案的图案要素相切或具有切断的边，所述边设在所述透明导电部及所述透明绝缘部的边界。4如权利要求13的任一项所述的透明导电元件，在所述透明导电部及所述透明绝缘部的边界部，重复具有边界图案的单位区段。5如权利要求14的任一项所述的透明导电元件，所述透明导电

4、部的随机图案是分开而设置的多个绝缘要素的图案，所述透明绝缘部的随机图案是分开而设置的多个导电要素的图案。6如权利要求5所述的透明导电元件，所述绝缘要素是孔部，所述导电要素是岛部。7如权利要求5所述的透明导电元件，所述绝缘要素及所述导电要素具有点状。8如权利要求5所述的透明导电元件，所述绝缘要素具有点状，所述导电要素间的间隙部具有网状。9如权利要求18的任一项所述的透明导电元件，所述透明导电部及所述透明绝缘部包含金属线。10如权利要求1所述的透明导电元件，在所述透明导电部，透明导电层连续设置，在所述透明绝缘部，重复具有随机图案的至少1种单位区段。11一种输入装置，具备具有第1表面及第2表面的基体

5、材料，以及在所述第1表面及所述第2表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部，在所述透明导电部及所述透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。12一种输入装置，具备第1透明导电元件，以及在所述第1透明导电元件的表面设置的第2透明导电元件，所述第1透明导电元件及所述第2透明导电元件具备具有表面的基体材料，以及在所述表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部，在所述透明导电部及所述透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。13一种电子设备，具备透明导电元件，包括具有第1表面及第2表面的基体材料以及在所述第1表面及所述权利要求书CN104054140A2/2页3第2表

6、面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部，在所述透明导电部及所述透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。14一种电子设备，具备第1透明导电元件，以及在所述第1透明导电元件的表面设置的第2透明导电元件，所述第1透明导电元件及所述第2透明导电元件具备具有第1表面及第2表面的基体材料，以及在所述第1表面及所述第2表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部，在所述透明导电部及所述透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。15一种透明导电元件的制造方法，经由具有随机图案的至少1种掩模对基体材料表面的透明导电层照射光，来反复形成单位区段，从而在所述基体材料表面平面地交替形

7、成透明导电部及透明绝缘部。16如权利要求15所述的透明导电元件的制造方法，经由具有边界图案的至少1种掩模对所述基体材料表面的透明导电层照射光，来反复形成单位区段，从而形成所述透明导电部及所述透明绝缘部的边界部。17如权利要求15所述的透明导电元件的制造方法，一边切换具有随机图案的2种掩模，一边在所述基体材料表面平面地交替形成透明导电部及透明绝缘部。18如权利要求17所述的透明导电元件的制造方法，所述具有随机图案的2种掩模，是具有多个遮光要素的随机图案的第1掩模，以及具有多个光透射要素的随机图案的第2掩模。19一种透明导电层的加工方法，经由具有图案的至少1种掩模对基体材料表面的透明导电层照射光，

8、来反复形成单位区段，从而在所述基体材料表面平面地交替形成透明导电部及透明绝缘部。权利要求书CN104054140A1/47页4透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的加工方法技术领域0001本技术涉及透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的加工方法。详细而言，涉及透明导电部及透明绝缘部在基体材料表面平面地交替设置的透明导电元件。背景技术0002近年来，静电电容式的触摸面板搭载于便携电话和便携音乐终端等的移动设备的情况不断增加。静电电容式的触摸面板中，使用在基体材料膜表面设有被构图的透明导电层的透明导电膜。0003在专利文献1中，提出了如下构成的透明导电片

9、。透明导电片具备在基体片上形成的导电图案层；以及在基体片的未形成导电图案层的部分形成的绝缘图案层。而且，导电图案层具有多个微小小孔，绝缘图案层由狭小槽形成为多个岛状。0004现有技术文献专利文献专利文献1日本特开2010157400号公报。发明内容0005发明要解决的课题近年来，期望大面积地制作如上所述具有微小图案的透明导电层。为了顺应这样的要求，优选微小图案也容易大面积地形成的透明导电层。0006因此，本技术的目的在于，提供大面积微小图案的形成容易的透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的加工方法。0007用于解决课题的方案为了解决上述课题，第1技术是一种透明导电元件，具

10、备具有表面的基体材料；以及在表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部，在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。0008第2技术是一种输入装置，具备具有第1表面及第2表面的基体材料；以及平面地交替设在第1表面及第2表面的发透明导电部及透明绝缘部，在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。0009第3技术是一种输入装置，具备第1透明导电元件；以及设在第1透明导电元件的表面的第2透明导电元件，第1透明导电元件及第2透明导电元件具备说明书CN104054140A2/47页5具有表面的基体材料；以及在表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘

11、部，在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。0010第4技术是一种电子设备，具备透明导电元件，包括具有第1表面及第2表面的基体材料以及平面地交替设在第1表面及第2表面的透明导电部及透明绝缘部，在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。0011第5技术是一种电子设备，具备第1透明导电元件；以及设在第1透明导电元件的表面的第2透明导电元件，第1透明导电元件及第2透明导电元件具备具有第1表面及第2表面的基体材料；以及平面地交替设在第1表面及第2表面的透明导电部及透明绝缘部，在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位

12、区段。0012第6技术是一种透明导电元件的制造方法，经由具有随机图案的至少1种掩模对基体材料表面的透明导电层照射光，来反复形成单位区段，从而在基体材料表面平面地交替形成透明导电部及透明绝缘部。0013第7技术是一种透明导电层的加工方法，通过将具有图案的至少1种掩模对基体材料表面的透明导电层照射光，反复形成单位区段，从而在基体材料表面平面地交替形成透明导电部及透明绝缘部。0014本技术中，在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段，因此能够容易大面积地形成随机图案。0015本技术中，在基体材料表面平面地交替设有透明导电部及透明绝缘部，因此能够降低设有透明导电部的区域与

13、未设有透明导电部的区域的反射率差。因此，能够抑制透明导电部的图案的视觉辨认。0016发明的效果如以上说明的那样，依据本技术，能够提供大面积微小图案的形成容易的透明导电元件。附图说明0017图1是示出本技术的第1实施方式所涉及的信息输入装置的一构成例的截面图。0018图2A是示出本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面图。图2B是沿图2A所示的AA线的截面图。0019图3A是示出第1透明导电元件的透明电极部的一构成例的平面图。图3B是示出第1透明导电元件的透明绝缘部的一构成例的平面图。0020图4A是示出第1透明导电元件的透明电极部的单位区段的一构成例的平面图。图4B是沿图4

14、A所示的AA线的截面图。图4C是示出第1透明导电元件的透明绝缘部的单位区段的一构成例的平面图。图4D是沿图4C所示的AA线的截面图。0021图5是示出边界部的形状图案的一个例子的平面图。说明书CN104054140A3/47页60022图6A是示出本技术的第1实施方式所涉及的第2透明导电元件的一构成例的平面图。图6B是沿图6A所示的AA线的截面图。0023图7是示出用于制作透明电极部及透明绝缘部的激光加工装置的一构成例的示意图。0024图8A是示出用于制作透明电极部13的第1掩模的一构成例的平面图。图8B是示出用于制作透明绝缘部14的第2掩模的一构成例的平面图。0025图9A图9C是用于说明本

15、技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的制造方法的一个例子的工序图。0026图10A是示出透明电极部的单位区段的变形例的平面图。图10B是沿图10A所示的AA线的截面图。图10C是示出透明绝缘部的单位区段的变形例的平面图。图10D是沿图10C所示的AA线的截面图。0027图11A图11D是示出本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的变形例的截面图。0028图12A、图12B是示出本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的变形例的截面图。0029图13A是示出本技术的第2实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面图。图13B是用于在透明电极部及透明绝缘部的边界部制作边界图案的

16、第3掩模的一构成例的平面图。0030图14A是示出本技术的第3实施方式所涉及的第1透明导电元件的透明电极部的一构成例的平面图。图14B是示出本技术的第3实施方式所涉及的第1透明导电元件的透明绝缘部的一构成例的平面图。0031图15A是示出透明电极部的单位区段的一构成例的平面图。图15B是沿图15A所示的AA线的截面图。图15C是示出透明绝缘部的单位区段的一构成例的平面图。图15D是沿图15C所示的AA线的截面图。0032图16是示出边界部的形状图案的一个例子的平面图。0033图17A是示出本技术的第4实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面图。图17B是示出用于在透明电极部及透明绝缘部

17、的边界部制作边界图案的第3掩模的一构成例的平面图。0034图18是示出本技术的第5实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面图。0035图19A是示出本技术的第6实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面图。图19B是用于在透明电极部及透明绝缘部的边界部制作边界图案的第3掩模的一构成例的平面图。0036图20A是示出本技术的第7实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面图。图20B是示出本技术的第7实施方式所涉及的第1透明导电元件的变形例的平面图。0037图21A是示出本技术的第8实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面图。图20B是示出本技术的第8实施方式所涉及的第

18、1透明导电元件的变形例的平面图。0038图22A是示出本技术的第9实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面图。图22B是示出本技术的第9实施方式所涉及的第2透明导电元件的一构成例的平面说明书CN104054140A4/47页7图。0039图23是示出本技术的第10实施方式所涉及的信息输入装置的一构成例的截面图。0040图24A是示出本技术的第11实施方式所涉及的信息输入装置的一构成例的平面图。图24B是沿图24A所示的AA线的截面图。0041图25A是放大示出图24A所示的交叉部C附近的平面图。图25B是沿图25A所示的AA线的截面图。0042图26是作为电子设备示出电视机的例的外观图

19、。0043图27A、图27B是作为电子设备示出数码相机的例的外观图。0044图28是作为电子设备示出笔记本型个人计算机的例的外观图。0045图29是作为电子设备示出摄像机的例的外观图。0046图30是作为电子设备示出便携终端装置的例的外观图。0047图31A是示出通过显微镜观察实施例15的透明导电片表面的结果的图。图31B是示出通过显微镜观察实施例21的透明导电片表面的结果的图。0048图32是示出用于制作透明电极部及透明绝缘部的激光加工装置的变形例的示意图。0049图33是示出对透明导电片照射激光时的加工深度D的图。0050图34A是示出通过显微镜观察实施例54的透明导电片表面的结果的图。图

20、34B是示出通过显微镜观察实施例55的透明导电片表面的结果的图。图34C是示出通过显微镜观察实施例56的透明导电片表面的结果的图。0051图35A是示出通过显微镜观察实施例57的透明导电片表面的结果的图。图35B是示出通过显微镜观察实施例58的透明导电片表面的结果的图。0052图36是示出实施例5153的透明导电片的电阻比的结果的图。0053图37是示出实施例5458的透明导电片的电阻比的结果的图。0054图38A是示出通过显微镜观察实施例71的透明导电片表面的结果的图。图38B是示出通过显微镜观察实施例72的透明导电片表面的结果的图。图38C是示出通过显微镜观察实施例73的透明导电片表面的结

21、果的图。0055图39是示出实施例7173的透明导电片的电阻比的结果的图。0056图40A是示出通过显微镜观察实施例81的透明导电片表面的结果的图。图40B是示出通过显微镜观察实施例82的透明导电片表面的结果的图。0057图41A是示出通过显微镜观察实施例83的透明导电片表面的结果的图。图41B是示出通过显微镜观察实施例84的透明导电片表面的结果的图。0058图42是示出实施例8184的透明导电片的电阻比的结果的图。0059图43是示出比较例8184的透明导电片及实施例8184的透明导电片的表面电阻的结果的图。0060图44是示出比较例8184的透明导电片及实施例8184的透明导电片的电阻比的

22、结果的图。0061图45A是示出一般的台（STAGE）的移动速度的变化的图。图45B是示出高速台的移动速度的变化的图。说明书CN104054140A5/47页8具体实施方式0062参照附图的同时按照以下的顺序说明本技术的实施方式。00631第1实施方式（通过具有随机图案的单位区段构成透明电极部及透明绝缘部的例子）2第2实施方式（通过具有随机的边界图案的单位区段构成的边界部的例子）3第3实施方式（通过具有规则图案的单位区段构成透明电极部及透明绝缘部的例子）4第4实施方式（通过具有规则的边界图案的单位区段构成边界部的例子）5第5实施方式（将透明电极部设为连续膜的例子）6第6实施方式（通过具有随机图

23、案的单位区段构成边界部的例子）7第7实施方式（通过具有随机图案的单位区段构成透明电极部，并通过具有规则图案的单位区段构成透明绝缘部的例子）8第8实施方式（通过具有规则图案的单位区段构成透明电极部，并通过具有随机图案的单位区段构成透明绝缘部的例子）9第9实施方式（设有连结了焊盘部的形状的透明电极部的例子）10第10实施方式（在基体材料两面设有透明电极部的例子）11第11实施方式（在基体材料的一主面交叉设有透明电极部的例子）12第12实施方式（对电子设备应用的例子）1第1实施方式信息输入装置的结构图1是示出本技术的第1实施方式所涉及的信息输入装置的一构成例的截面图。如图1所示，信息输入装置10设在

24、显示装置4的显示面上。信息输入装置10例如由贴合层5贴合于显示装置4的显示面。0064（显示装置）应用信息输入装置10的显示装置4虽没有特别限定，但如果进行例示，则可举出液晶显示器、CRT（CATHODERAYTUBE阴极射线管）显示器、等离子体显示器（PLASMADISPLAYPANELPDP），电致发光（ELECTROLUMINESCENCEEL）显示器、表面传导型电子发射元件显示器（SURFACECONDUCTIONELECTRONEMITTERDISPLAYSED）等的各种显示装置。0065（信息输入装置）信息输入装置10是所谓的投影型静电电容方式触摸面板，具备第1透明导电元件1和设在

25、该第1透明导电元件1的表面上的第2透明导电元件2，第1透明导电元件1与第2透明导电元件2经由贴合层6而贴合。另外，根据需要，也可以在第2透明导电元件2的表面上还具备光学层3。0066（光学层）光学层3例如具备基体材料31和设在基体材料31与第2透明导电元件2之间的贴合层32，基体材料31经由该贴合层32贴合于第2透明导电元件2的表面。光学层3并不限定于该例，也可能是SIO2等的陶瓷敷层（覆盖层）。0067（第1透明导电元件）说明书CN104054140A6/47页9图2A是示出本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平面图。图2B是沿图2A所示的AA线的截面图。如图2A及图2B

26、所示，第1透明导电元件1具备具有表面的基体材料11和设在该表面的透明导电层12。在此，将在基体材料11的面内处于正交交叉的关系的2个方向定义为X轴方向（第1方向）及Y轴方向（第2方向）。0068透明导电层12具备透明电极部（透明导电部）13和透明绝缘部14。透明电极部13是沿X轴方向延伸的X电极部。透明绝缘部14是所谓的伪电极部，沿X轴方向延伸，并且介于透明电极部13之间，是使相邻的透明电极部13之间绝缘的绝缘部。这些透明电极部13和透明绝缘部14，朝向Y轴方向平面地交替邻接而设在基体材料11的表面。此外，在图2A、图2B，第1区域R1表示透明电极部13的形成区域，第2区域R2表示透明绝缘部1

27、4的形成区域。0069（透明电极部、透明绝缘部）透明电极部13及透明绝缘部14的形状，优选与画面形状或驱动电路等相应地适当选择，可举出例如直线状、将多个菱形状（金刚石形状）直线状连结的形状等，但并不特别限定于这些形状。此外，在图2A、图2B中，例示出将透明电极部13及透明绝缘部14的形状设为直线状的结构。0070图3A是示出第1透明导电元件的透明电极部的一构成例的平面图。透明电极部13如图3A所示，是具有孔部13A的随机图案的单位区段13P被反复设置的透明导电层12。单位区段13P例如沿X轴方向以周期TX反复设置，沿Y轴方向以周期TY反复设置。即，单位区段13P沿X轴方向及Y轴方向2维排列。周

28、期TX及周期TY分别独立，例如在从微米量级到纳米量级的范围内设定。0071图3B是示出第1透明导电元件的透明绝缘部的一构成例的平面图。透明电极部13如图3B所示，是具有岛部14A的随机图案的单位区段14P被反复设置的透明导电层12。单位区段14P例如沿X轴方向以周期TX反复设置，沿Y轴方向以周期TY反复设置。即，单位区段14P沿X轴方向及Y轴方向2维排列。周期TX及周期TY分别独立，例如在微米量级到纳米量级的范围内设定。0072图3A及图3B中，单位区段13P及单位区段14P分别是1种的情况被作为例子示出，但也可以使单位区段13P及单位区段14P为2种以上。在该情况下，能够设为同一种单位区段1

29、3P及单位区段14P沿X轴方向及Y轴方向周期或随机地重复。0073单位区段13P及单位区段14P的形状只要是能够沿X轴方向及Y轴方向大致没有间隙地反复设置的形状即可，并没有特别限定，但若进行例示，则可举出三角形状、四角形状、六角形状或八角形状等的多边形状或不定形状等。0074图4A是示出第1透明导电元件的透明电极部的单位区段的一构成例的平面图。图4B是沿图4A所示的AA线的截面图。图4C是示出第1透明导电元件的透明绝缘部的单位区段的一构成例的平面图。图4D是沿图4C所示的AA线的截面图。透明电极部13的单位区段13P如图4A及图4B所示，是多个孔部（绝缘要素）13A分开而以随机图案设置的透明导

30、电层12，透明导电部13B介于相邻的孔部13A之间。另一方面，透明绝缘部14的单位区段14P如图4C及图4D所示，是具有分开而以随机图案设置的多个岛部（导电要素）14A的透明导电层12，作为绝缘部的间隙部14B介于相邻的岛部14A之间。岛部14A是例如以透明导电材料为主成分的岛状的透明导电层12。在此，在间隙部14B，优选透明导电层说明书CN104054140A7/47页1012被完全除去，但只要在间隙部14B作为绝缘部发挥功能的范围内，则透明导电层12的一部分残留为岛状或薄膜状也可以。0075单位区段13P优选作为随机图案的图案要素的孔部13A相切或具有切断的边，更优选构成单位区段13P的所

31、有的边与图案要素处于这样的关系。此外，还能采用作为随机图案的图案要素的孔部13A与所有的边分开的结构。0076单位区段14P优选作为随机图案的图案要素的岛部14A相切或具有切断的边，更优选构成单位区段14P的所有的边与图案要素处于这样的关系。此外，还能采用作为随机图案的图案要素的岛部14A与所有的边分开的结构。0077作为孔部13A及岛部14A的形状，能够使用例如点状。作为点状，能够使用从例如圆形状、椭圆形状、将圆形状的一部分切下的形状、将椭圆形状的一部分切下的形状、多边形状、倒角的多边形状及不定形状构成的组中选取的1种以上。作为多边形状可举出例如三角形状、四角形状（例如菱形等）、六角形状、八

32、角形状等，但不限于此。在孔部13A及岛部14A采用不同形状也可以。在此，在圆形中不仅包含数学上定义的完整的圆（正圆），还包含被赋予一些变形的大致圆形。在椭圆形中不仅包含数学上定义的完整的椭圆，还包含被赋予一些变形的大致椭圆形（例如长圆、卵型等）。在多边形中不仅包含数学上定义的完整的多边形，还包含对边赋予了变形的大致多边形、对角赋予了弧度的大致多边形以及对边赋予了变形并且对角赋予了弧度的大致多边形等。作为对边赋予的变形，可举出凸状或凹状等的弯曲。0078孔部13A及岛部14A优选是不能够通过目视识别的尺寸。具体而言，孔部13A或岛部14A的尺寸优选为100M以下，更优选为60M以下。在此，尺寸（

33、直径DMAX）在不是圆形的情况下意味着孔部13A及岛部14A的直径的长度之中的最大者。此外，在圆形的情况下成为直径DMAX的直径。若使孔部13A及岛部14A直径DMAX为100M以下，则能够抑制通过目视的孔部13A及岛部14A的视觉辨认。具体而言例如，在使孔部13A及岛部14A为圆形状的情况下，优选它们的直径为100M以下。此外，作为透明导电片的顶面（最外表面）和底面（激光加工部的底面（达到通过激光照射的烧蚀的基体材料11表面。以下，在基体材料11内也产生烧蚀的情况下，将其露出表面适当称作基体材料11表面）的随机图案的孔部的深度的距离在图4中以标号D示出。即，从透明导电部13B的表面至孔部13

34、A的底面（基体材料11的表面）的平均深度D及从岛部14A的表面至间隙部14B的底面（基体材料11的表面）的平均深度D在图4中示出。0079在第1区域R1，相对于例如多个孔部13A成为基体材料表面的露出区域，介于相邻的孔部13A间的透明导电部13B成为基体材料表面的覆盖区域。另一方面，在第2区域R2，相对于多个岛部14A成为基体材料表面的覆盖区域，介于相邻的岛部14A间的间隙部14B成为基体材料表面的露出区域。将第1区域R1和第2区域R2的覆盖率差为60以下，优选我40以下，更优选为30以下，并且，优选以不能够用目视视觉辨认的大小来形成孔部13A及岛部14A的部分。在通过目视来比较透明电极部13

35、和透明绝缘部14时，感觉透明导电层12在第1区域R1和第2区域R2以相同的方式被覆盖，因此能够抑制透明电极部13和透明绝缘部14的视觉辨认。0080优选使第1区域R1中的透明导电部13B造成的覆盖面积的比例较高。这是因为随着覆盖率变低，若想具有相同的导电性，为了增加透明导电部13B的厚度，则必须增加最说明书CN104054140A108/47页11初的整个面制膜时的厚度，成本与覆盖率成反比地增大。例如，覆盖率为50的情况下材料费为2倍，覆盖率为10的情况下材料费为10倍。此外还产生通过透明导电部13B的膜厚变厚，光学特性变差等的问题。当覆盖率变得过小，则绝缘的可能性也变大。若考虑以上的点，则优

36、选至少覆盖率为10以上。覆盖率的上限值并未特别受限。0081第2区域R2中的岛部14A造成的覆盖率，若过高则随机图案的生成自身变得困难，并且存在岛部14A彼此接近而短路的担心，因此优选使岛部14A造成的覆盖率为95以下。0082透明电极部13及透明绝缘部14的反射L值之差的绝对值优选为不到03。这是因为能够抑制透明电极部13及透明绝缘部14的视觉辨认。在此，反射L值之差的绝对值，是遵从JISZ8722而评价的值。0083设在第1区域（电极区域）R1的透明电极部13的平均边界线长度LA，以及设在第2区域（绝缘区域）R2的透明绝缘部14的平均边界线长度LB，优选是0LA、LB20MM/MM2的范围

37、内。但是，平均边界线长度LA是设在透明电极部13的孔部13A和透明导电部13B的边界线的平均边界线的长度，平均边界线的长度LB是设在透明绝缘部14的岛部14A和间隙部14B的边界线的平均边界线的长度。0084通过使平均边界线长度LA、LB在上述范围内，在基体材料11的表面，使形成有透明导电层12的部分与未形成的部分的边界减少，能够降低在该边界上的光散射量。因此，能够与后述的平均边界线长度的比（LA/LB）无关地，使上述反射L值之差的绝对值为不到03。即，能够抑制透明电极部13及透明绝缘部14的视觉辨认。0085在此，关于透明电极部13的平均边界线长度LA及透明绝缘部14的平均边界线长度LB的求

38、出方法进行说明。0086可如以下那样求出透明电极部13的平均边界线长度LA。首先，利用数码显微镜（株式会社一（KEYENCE）制，商品名VHX900）在观察倍率100500倍的范围观察透明电极部13，保存观察像。接着，从保存的观察像通过图像解析来计测边界线（CIC1CN），得到边界线长度L1MM/MM2。对于从透明电极部13随意选出的10个视野进行该计测，得到边界线长度L1、L10。接着，将所得到的边界线长度L1、L10简单地平均（算术平均），求出透明电极部13的平均边界线长度LA。0087可如以下那样求出透明绝缘部14的平均边界线长度LB。首先，利用数码显微镜（株式会社一制，商品名VHX90

39、0）在观察倍率100500倍的范围观察透明绝缘部14，保存观察像。接着，从保存的观察像通过图像解析来计测边界线（CIC1CN），得到边界线长度L1MM/MM2。对于从透明绝缘部14随意选出的10个视野进行该计测，得到边界线长度L1、L10。接着，将所得到的边界线长度L1、L10简单地平均（算术平均），求出透明绝缘部14的平均边界线长度LB。0088设在第1区域（电极区域）R1的透明电极部13的平均边界线长度LA，以及设在第2区域（绝缘区域）R2的透明绝缘部14的平均边界线长度LB的平均边界线长度比（LA/LB），优选是075以上125以下的范围内。若平均边界线长度比（LA/LB）为上述范围外，

40、则在透明电极部13的平均边界线长度LA及透明绝缘部14的平均边界线长度LB未设定为20MM/MM2以下的情况下，即使透明电极部13与透明绝缘部14的覆盖率差相等，也可视觉辨认透明电极部13及透明绝缘部14。这是由于例如在基体材料11的表面，在具有透明导电层12的部分与没有的部分折射率不同。在具有透明导电层12的部分与没有的部分折射率差较说明书CN104054140A119/47页12大的情况下，在具有透明导电层12的部分与没有的部分的边界部发生光散射。由此，透明电极部13及透明绝缘部14的区域之中边界线长度更长的区域的一方看起来更发白，与覆盖率差无关地可视觉辨认透明电极部13的电极图案。定量地

41、，遵从JISZ8722而评价的透明电极部13与透明绝缘部14的反射L值之差的绝对值成为03以上。0089（边界部）图5是示出边界部的形状图案的一个例子的平面图。在透明电极部13与透明绝缘部14的边界部，设有随机的形状图案。通过这样在边界部设置随机的形状图案，能够抑制边界部的视觉辨认。在此，所谓边界部，表示透明电极部13与透明绝缘部14之间的区域，所谓边界L，表示划分透明电极部13与透明绝缘部14的边界线。此外，取决于边界部的形状图案，还存在边界L不是实线而是虚线的情况。0090边界部的形状图案优选包含透明电极部13及透明绝缘部14的至少一个随机图案的图案要素的整体和/或一部分。更具体而言，边界

42、部的形状图案优选包含从由孔部13A的整体、孔部13A的一部分、岛部14A的整体及岛部14A的一部分构成的组中选取的1种以上的形状。0091边界部的形状图案所包含的孔部13A的整体，例如与透明电极部13侧的边界L相切或大致相切地设置。边界部的形状图案所包含的岛部14A的整体，例如与透明绝缘部14侧的边界L相切或大致相切地设置。0092边界部的形状图案所包含的孔部13A的一部分，例如具有由边界L将孔部13A部分切断的形状，其切断边与透明电极部13侧的边界L相切或大致相切地设置。边界部的形状图案所包含的岛部14A的一部分，例如具有由边界L将岛部14A部分切断的形状，其切断边与透明绝缘部14侧的边界L

43、相切或大致相切地设置。0093单位区段13P优选作为随机图案的图案要素的孔部13A相切或具有被切断的边，该边以与透明电极部13及透明绝缘部14的边界L相切或大致相切的方式设置。0094单位区段14P优选作为随机图案的图案要素的岛部14A相切或具有切断的边，该边以与透明电极部13及透明绝缘部14的边界L相切或大致相切的方式设置。0095此外，在图5中示出边界部的形状图案包含透明电极部13及透明绝缘部14双方的随机图案的图案要素的一部分的例子。更具体而言，示出边界部的形状图案包含孔部13A及岛部14A双方的一部分的例子。该例中，设为边界部所包含的孔部13A的一部分具有孔部13A被边界L部分切断的形

44、状，其切断边与透明电极部13侧的边界L相切。另一方面，设为边界部所包含的岛部14A的一部分具有岛部14A被边界L部分切断的形状，其切断边与透明绝缘部14侧的边界L相切。0096（基体材料）作为基体材料11的材料，能够使用例如玻璃、塑料。作为玻璃，能够使用例如公知的玻璃。作为公知的玻璃，具体而言可举出例如碱石灰玻璃、铅玻璃、硬质玻璃、石英玻璃、液晶化玻璃等。作为塑料，能够使用例如公知的高分子材料。作为公知的高分子材料，具体而言可举出例如三醋酸纤维素（TAC）、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚酰亚胺（PI）、聚酰胺（PA）、芳族聚酰胺、聚乙烯（PE）、聚丙烯酸

45、酯、聚醚砜、聚砜、聚丙烯（PP）、双乙酰纤维素、聚氯乙烯、丙烯树脂（PMMA）、聚碳酸酯（PC）、环氧树脂、尿素树脂、尿烷树脂、三聚氰胺树脂、环状烯烃聚合物（COP）、降冰片烯类热塑性树脂等。说明书CN104054140A1210/47页130097玻璃基体材料的厚度优选为20M10MM，但并不特别限定于该范围。塑料基体材料的厚度优选为20M500M，但并不特别限定于该范围。0098（透明导电层）作为透明导电层12的材料，例如能够使用从具有电导电性的金属氧化物材料、金属材料、碳材料及导电聚合物等构成的组中选择的1种以上。作为金属氧化物材料，可举出例如铟锡氧化物（ITO）、氧化锌、氧化铟、锑添加

46、氧化锡、氟添加氧化锡、铝添加氧化锌、镓添加氧化锌、硅添加氧化锌、氧化锌氧化锡类、氧化铟氧化锡类、氧化锌氧化铟氧化镁类等。作为金属材料，能够使用例如金属纳米粒子、金属线等。作为其具体的材料可举出例如铜、银、金、铂、钯、镍、锡、钴、铑、铱、铁、钌、锇、锰、钼、钨、铌、钽、钛、铋、锑、铅等的金属，或这些的合金等。作为碳材料，可举出例如碳黑、碳纤维、富勒烯、石墨烯、碳纳米管、碳微线圈及纳米突等。作为导电聚合物，能够使用例如置换或无置换的聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩及从这些选择的1种或2种构成的（共）聚合物等。0099作为透明导电层12的形成方法，能够使用例如溅射法、真空蒸镀法、离子镀法等的PVD法、或CVD

47、法、涂抹法、印刷法等。透明导电层12的厚度，优选适当选择使得在构图前的状态（在基体材料11的整个面形成有透明导电层12的状态）下表面电阻成为1000/以下。0100（第2透明导电元件）图6A是示出本技术的第1实施方式所涉及的第2透明导电元件的一构成例的平面图。图6B是沿图6A所示的AA线的截面图。如图6A及图6B所示，第2透明导电元件2具备具有表面的基体材料21和设在该表面的透明导电层22。在此，将在基体材料21的面内处于正交交叉的关系的2个方向定义为X轴方向（第1方向）及Y轴方向（第2方向）。0101透明导电层22具备透明电极部（透明导电部）23和透明绝缘部24。透明电极部23是在Y轴方向延

48、伸的Y电极部。透明绝缘部24是所谓的伪电极部，在Y轴方向延伸，并且介于透明电极部23之间，是使相邻的透明电极部23之间绝缘的绝缘部。这些透明电极部23和透明绝缘部24，在基体材料21的表面朝向X轴方向交替邻接设置。第1透明导电元件1所具有的透明电极部13及透明绝缘部14，和第2透明导电元件2所具有的透明电极部23及透明绝缘部24，例如处于互相正交的关系。此外，图6A、图6B中，第1区域R1表示透明电极部23的形成用区域，第2区域R2表示透明绝缘部24的形成区域。0102关于第2透明导电元件2，上述以外情况与第1透明导电元件1相同。0103激光加工装置接着，参照图7的同时，说明用于制作透明电极部

49、13及透明绝缘部14的激光加工装置的一构成例。激光加工装置是利用激光烧蚀工艺对透明导电层进行构图的加工装置，如图7所示，具备激光器41、掩模部42和台43。掩模部42设在激光器41与台43之间。从激光器41出射的激光经由掩模部42，到达在台43固定的透明导电基体材料1A。0104激光加工装置构成为可调整加工倍率，例如，可将加工倍率调整为加工倍率1/4或加工倍率1/8。以下，示出加工倍率1/4及加工倍率1/8的情况下的掩模部42的激光照射范围与在台固定的透明导电基体材料1A的加工范围的关系的例子。0105加工倍率1/4激光照射范围8MM8MM，加工范围2MM2MM加工倍率1/8激光照射范围8MM8MM，加工范围1MM1MM说明书CN104054140A1311/47页14作为激光器41，例如，只要能利用激光烧蚀工艺对透明导电层进行构图即可，并没有特别限定，如若进行例示，能够使用波长248NM的KRF受激准分子激光、波长266NM的三次谐波飞秒激光、波长355NM的三次谐波YAG激光等的UV激光。0106掩模部42具备用于制作透明电极部13的第1掩模和用于制作透明绝缘部14的第2掩模。掩模部42具有能通过控制装置（图示省略）等来切换第1掩模与第2掩模的结构。因此，利用激光